| 品牌 | 昊量光電 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 綜合 |
1x12,288線陣相位型液晶調制器
1x12,288線陣相位型液晶調制器是光束偏轉與印刷系統的理想器件。這一器件運用了基于CMOS技術的標準液晶技術?；贑MOS結構的陣列為實現*進的高分辨率光刻技術提供了有效的工具，由于其像素更小，從而能夠為光束偏轉應用提供更大的偏轉角度。此外，COMS芯片上的電路大大簡化了尋址，隨機存取轉向，任意波前控制等過程。 基于CMOS陣列的另一優點是其在半導體制造中已經實現了規模經濟。
當填充Zero-Twist Nematic（ZTN）液晶的時候，該器件可用作全編程的一維衍射光束偏轉陣列。通過在陣列上下載變階的相位契形圖，即可實現非機械式的光束偏轉，其相當于一個可編程的衍射相位光柵。液晶光束偏轉器的主要優點是無機械移動（因此沒有光束指向偏差與不穩定的問題），隨機存取指向，通光孔徑足夠大，光學頭輕便并具有大規模制造以實現低成本的可能。
特點 | 應用 |
高光學效率 | 光束偏轉 |
無機械移動 | 衍射光學 |
安全的低電壓操作 | 光譜調諧與處理 |
高速相位控制 | 超快脈沖整形 |
全用戶編程 | 可編程相位光柵 |
靈活的系統配置 | 可編程振幅光柵 |
安靜低振動操作 | |
全固態器件結構 | |
即插即用簡易安裝 | |
友好的圖形界面 |
Model P12,288 – λ (nm) – PT | |
Array Size | 19.66x19.66mm |
Design Wavelength (nominal) | 635-1550nm (Specify wavelength, λ in nm when ordering) |
Diffraction Efficiency (zero-order) | 80 - 95% (maximum) |
Duty Cycle | Up to 100% |
External Window | Broadband antireflection coated for Ravg<1% (over 450-865nm or 850-1650nm) |
Fill Factor | 100% |
Format | 1x12,288 |
Mode | Reflective |
Steering Angle | ± 4 - 7° |
Modulation | Controllable index of refraction |
Phase Levels (resolvable) | 50 -100 linear levels (minimum) for 2π phase stroke |
Phase Stroke (double-pass) | Typically 2π at user-specified laser line |
Pixel Pitch | 1.6 μm |
Reflected Wavefront Distortion (rms) | λ/10 – λ |
Response Time | 5 - 30 ms |
Spatial Resolution | TBD |
Switching Frequency | 30 – 200 Hz |
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