比如：

半導(dǎo)體（硅，單晶硅，多晶硅）

半導(dǎo)體化合物（AlGaAs, InGaAs，CdTe, CIGS）

微電子機(jī)械（MEMS）

氧化物/氮化物

光刻膠

硬涂層（碳化硅，類(lèi)金剛石炭）

聚合物涂層（聚對(duì)二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺）

高分子聚合物

MProbe膜厚測(cè)量?jī)x（測(cè)量厚度1nm~1.8mm）操作簡(jiǎn)單，只需一鍵操作即可獲得樣品的厚度、折射率（n, k）和表面粗糙度等信息，膜厚測(cè)量設(shè)備可支持不同光譜范圍，光譜范圍可達(dá)200-1700nm，因此可測(cè)量厚度范圍可從1nm到2mm。 設(shè)備中無(wú)移動(dòng)組件，所以測(cè)量結(jié)果幾乎是即時(shí)得到的；TFCompanion測(cè)量軟件使得測(cè)量過(guò)程非常簡(jiǎn)單且透明，測(cè)量歷史、動(dòng)態(tài)測(cè)量、模擬、顏色分析、直接在樣品圖像上顯示結(jié)果。

膜厚測(cè)量?jī)x分類(lèi)：

1、單點(diǎn)膜厚測(cè)量——MPROBE-20

MPROBE-20膜厚測(cè)量?jī)x是一款臺(tái)式單點(diǎn)膜厚測(cè)量設(shè)備，設(shè)備操作簡(jiǎn)單，一鍵獲得樣品的厚度和折射率，并可提供不同波段范圍（適用于不同厚度薄膜）選擇。MPROBE-20具有以下幾種型號(hào)，客戶可根據(jù)自己所需的波長(zhǎng)范圍和薄膜厚度進(jìn)行選擇。

可供選擇型號(hào)：

2、單點(diǎn)手持膜厚測(cè)量——MPROBE HC

MPROBE HC膜厚測(cè)量?jī)x是一款基于MPROBE-20平臺(tái)開(kāi)發(fā)專(zhuān)用于測(cè)量曲面和大型零件上的涂層，用手動(dòng)探針代替樣品臺(tái)。

主要參數(shù)：

3、聚焦光斑膜厚測(cè)量?jī)x——MPROBE 40

MPROBE 40是一款聚焦的小光斑膜厚測(cè)量系統(tǒng)，該產(chǎn)品將顯微系統(tǒng)和膜厚測(cè)量設(shè)備結(jié)合起來(lái)，用于對(duì)膜厚的微區(qū)測(cè)量，光斑可達(dá)2μm。該設(shè)備集成相機(jī)和軟件，可精確顯示待測(cè)位置，并同時(shí)顯示測(cè)量結(jié)果。

該設(shè)備有不同波長(zhǎng)范圍可選，可供選擇的產(chǎn)品型號(hào)如下：

4、原位測(cè)量膜厚測(cè)量?jī)x——MPROBE 50 INSITU

MPROBE 50 INSITU是一款支持原位測(cè)量膜厚測(cè)量?jī)x，該設(shè)備采用門(mén)控?cái)?shù)據(jù)采集方式因此可以在高環(huán)境光的條件下工作。此外該型號(hào)膜厚測(cè)量?jī)x支持定制以滿足不同形狀的真空腔。根據(jù)可用的光學(xué)窗口，支持斜入射和垂直入射。光線可以聚焦樣品表面或準(zhǔn)直,探測(cè)探頭可以放置在沉積室光學(xué)端口內(nèi)部或外部，由于該膜厚測(cè)量?jī)x沒(méi)有移動(dòng)部件，通常測(cè)量時(shí)間約10ms。

此外該型號(hào)還有多種波段范圍可選，可供選擇型號(hào)如下

5、支持Mapping的聚焦膜厚測(cè)量?jī)x——MPROBE 60

MPROBE 60是一款聚焦并可做mapping的膜厚測(cè)量設(shè)備，重復(fù)精度可達(dá)0.01nm，精度可達(dá)1nm，mapping面積可達(dá)300*300mm。并支持多種波長(zhǎng)范圍可選。

可選波長(zhǎng)型號(hào)：

6、在線膜厚測(cè)量?jī)x——MProbe 70

MProbe 70是一款高性能膜厚測(cè)量?jī)x，主要設(shè)計(jì)用于24/7生產(chǎn)線上的連續(xù)測(cè)量。該設(shè)備主要有兩種配置一個(gè)是在產(chǎn)線上配備多個(gè)固定的探頭，第二種是將探頭裝在掃描儀上掃描。